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    Recorrido en vídeo: Introducción a la capacidad de co-simulación de transitorios EM/circuito de XFdtd

    Simule los diodos TVS y resuelva las vulnerabilidades ESD en una fase más temprana del proceso de diseño.

    Vídeo de introducción a la capacidad de co-simulación de circuitos EM transitorios de XFdtd

    Los daños provocados por las descargas electrostáticas (ESD) suponen una grave amenaza para la seguridad y fiabilidad de los dispositivos. XFdtd incluye una serie de funciones para simular el proceso de prueba de ESD, lo que permite a los ingenieros identificar los componentes susceptibles de sufrir daños por ESD y optimizar la mitigación de ESD antes de realizar pruebas de ensayo y error en un prototipo físico.

    En concreto, la capacidad exclusiva de XF para simular diodos TVS permite a los ingenieros finalizar los circuitos de protección de sus productos en las primeras fases de diseño, lo que mejora la fiabilidad del producto y reduce los costes al disminuir el tiempo del ciclo de ingeniería de diseño.

    El siguiente vídeo explica esta importante función y cómo se utiliza en XF para resolver de forma preventiva las vulnerabilidades de ESD y evitar futuros contratiempos en la certificación.