En este artículo de la revista International Journal of Antennas and Propagation se presenta la fabricación de una lente Rotman de microstrip de alta resistividad basada en silicio mediante un proceso de despegue. La lente presenta 3 puertos de haz, 5 puertos de matriz, 16 puertos ficticios y ángulos de orientación del haz de ±10 grados. La lente se fabricó en una oblea de silicio de alta resistividad de 200 µm de espesor y tiene un área de huella de 19,7 mm × 15,6 mm. La lente se probó como parte integrante de un radar de 77 GHz en el que se utilizó una fuente de banda X sintonizable junto con un multiplicador de 8 veces como fuente de RF y la señal de onda milimétrica resultante centrada en 77 GHz se irradió a través de una combinación de lente y antena. Se utilizó una antena de bocina con un mezclador de armónicos de convertidor descendente para recibir la señal radiada y mostrar la señal recibida en un analizador de espectro Advantest R3271A. La superposición de las señales de transmisión y recepción en el analizador de espectro mostró el correcto funcionamiento del radar, confirmando el diseño de la lente Rotman.
Cita:
Ali Attaran y Sazzadur Chowdhury, "Fabrication of a 77 GHz Rotman Lens on a High Resistivity Silicon Wafer Using Lift-Off Process", International Journal of Antennas and Propagation, vol. 2014, Article ID 471935, 9 páginas, 2014. doi:10.1155/2014/471935
